三星暂定内存路线图：2027年DDR6内存将突破10Gbps

IT之家10同月8日传闻，据德媒computerbase传闻，惠普在SamsungFoundryForum2022举办活动中介绍了其CPU路线图。

如上图右图，在即将要到的2023年，惠普将踏入1bnm加工先决条件，CPU芯片量将达到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生更快将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代 GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达芯片的新一代芯片的初期改款就有可能用上GDDR7显存。

此外，惠普还顺利进行了一些长远的蓝图，如2026年发布DDR6CPU，2027年即借助于原生10Gbps的更快。

惠普也出炉了其闪存的路线图，预计将在2024年发布V9NAND芯片。

IT之家曾新闻报道，惠普在在此之前的 TechDay2022举办活动中宣称，其第九代V-NAND早就开发新中，原先于2024年量产。到2030年，惠普蓝图NAND堆叠最多1，000层，以能够地反对未来会的数据密集型应用。惠普还日前，全球最高量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向投资者提供。

责任编辑：朱科峰 ST030

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